Características de la familia TTL


Todas las familias TTL presentan excelentes características. Es importante hacer algunas distinciones entre ellas sobre algunos puntos esenciales, tales como disipación de potencia, velocidad y la mayor o menor sensibilidad a las cargas capacitivas. Para diferenciar las familias de circuitos TTL se utilizan las indicaciones siguientes: 

Siglas En Inglés Características
L LOW POWER Disipación de potencia muy baja
LS LOW POWER SCHOTTKY Disipación y tiempo de propagación pequeño
S SCHOTTKY Disipación de potencia normal y pequeño tiempo de propagación
AS ADVANCED SCHOTTKY Disipación normal y tiempo de propagación extremadamente pequeño
Ninguna Ninguna indicación Características normales

En dos tipos de CI de la familia, esto es, en los tipos TTL y L-TTL, los transistores integrados conducen tan pronto como la corriente de base sea suficiente para hacer la ganancia en corriente mínima. Normalmente el funcionamiento es diferente. En efecto la corriente de base de un transistor medio (con ganancia en corriente muy elevada) es mas elevada de la necesaria, lo que contribuye a acelerar la entrada en saturación del transistor. Cuando se trata de conmutar un transistor para que pase de saturación al corte, el exceso de carga de la base, provoca un aumento considerable del tiempo de conmutación. Se suele utilizar normalmente un dopado a base de oro para acelerar la eliminación de esta carga que trae en consecuencia una disminución notable de la ganancia de corriente. La introducción de un diodo Schottky de barrera permite obtener excelentes resultados. Este diodo se caracteriza por una tensión directa pequeña (0.3V) y esta conectado entre la base y el emisor. Cuando el transistor entra en saturación, la corriente de entrada excedente no entra en la base sino sino que se ve encaminada hacia el conector a través del diodo Schottky. De esta manera el transistor no esta nunca completamente saturado y se recupera rápidamente tan pronto como desaparece la corriente de base. Con este sistema no es necesario el dopado a base de oro y así la ganancia de corriente no se ve afectada; la corriente de base puede ser mas pequeña y la conmutación se realiza mas rápidamente. Los tipos ALS y AS están construidos con un proceso que comparado con las tecnologías anteriores, permite una reducción sustancial de las capacidades parásitas y de los tiempos de conmutación de los transistores por ser mas superficiales y de menor tamaño. El resultado final es una mejora en relación velocidad/potencia. La familia ALS puede ofrecer menor potencia y mayor velocidad que la LS, mientras que la familia AL presenta una velocidad de mas del doble que la TTL Schottky para la misma potencia que esta. 


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